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fabricante:
Electrónica de Rochester, LLC
Descripción:
RMLV0816BGB - 8 Mb avanzado LPSRA
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
45ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje de las
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Electrónica de Rochester, LLC
Tamaño de la memoria:
8Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Envase / estuche:
48-TFBGA
Organización de la memoria:
512K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Tiempo de acceso:
45 ns
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
SRAM - IC de memoria asíncrona de 8 Mbit paralelo 45 ns 48-TFBGA (7,5x8,5)
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S25FL128S - (16-MB), 3.0 V FL-L
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
R5F51305BDFP#50 - 8Mb Advanced L
RMWV6416AGSA-5S2#AA0
RMWV6416AGS - 64Mb Advanced LPSR
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA
| Imagen | parte # | Descripción | |
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S25FL128SDPMFIG00 Las condiciones de los vehículos de transporte de pasajeros y los vehículos de transporte de pasajeros |
S25FL128S - (16-MB), 3.0 V FL-L
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
R5F51305BDFP#50 - 8Mb Advanced L
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RMWV6416AGSA-5S2#AA0 |
RMWV6416AGS - 64Mb Advanced LPSR
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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos. |
RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA
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Las existencias:
Cuota de producción: