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![calidad [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
Electrónica de Rochester, LLC
Descripción:
R5F51305BDFP#50 - 8 Mb Avanzado L
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
45ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-TSOP II
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Electrónica de Rochester, LLC
Tamaño de la memoria:
8Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Envase / estuche:
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
el 1M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Tiempo de acceso:
45 ns
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
SRAM - IC de memoria asíncrona de 8 Mbit paralelo 45 ns 44-TSOP II
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| Imagen | parte # | Descripción | |
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