RMWV6416AGSA-5S2#AA0
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fabricante:
Electrónica de Rochester, LLC
Descripción:
RMWV6416AGS - 64 Mb de LPSR avanzado
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
Las demás
Paquete de dispositivos del proveedor:
48-TSOP I
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Electrónica de Rochester, LLC
Tamaño de la memoria:
64Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Envase / estuche:
48-TFSOP (0.724", 18.40 mm de ancho)
Organización de la memoria:
4M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Tiempo de acceso:
55 ns
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
SRAM - IC de memoria asíncrona de 64 Mbit paralelo 55 ns 48-TSOP I
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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
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| Imagen | parte # | Descripción | |
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Los datos de los datos de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad. |
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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos. |
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