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fabricante:
Electrónica de Rochester, LLC
Descripción:
RMLV0414EGS - 4Mb avanzado LPSRA
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
45ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-TSOP II
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Electrónica de Rochester, LLC
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Envase / estuche:
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
256K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Tiempo de acceso:
45 ns
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
SRAM - IC de memoria asíncrona de 4Mbit paralelo 45 ns 44-TSOP II
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| Imagen | parte # | Descripción | |
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Los datos de los datos de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad. |
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