TC58BYG2S0HBAI4
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fabricante:
Kioxia America, Inc.
Descripción:
El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
Benand™
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
25ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
63-TFBGA (9x11)
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Kioxia America, Inc.
Tamaño de la memoria:
4Gbit
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.95V
Tiempo de acceso:
25 ns
Envase / estuche:
63-VFBGA
Organización de la memoria:
los 512M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de
Número del producto de base:
TC58BYG2
Formato de memoria:
El flash
Introducción
FLASH - NAND (SLC) IC de memoria 4Gbit paralelo 25 ns 63-TFBGA (9x11)
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