No hay que hacer nada.
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
25ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta precisión deberán tener una longit
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Kioxia America, Inc.
Tamaño de la memoria:
4Gbit
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.95V
Envase / estuche:
63-BGA
Organización de la memoria:
los 512M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de
Número del producto de base:
¿ Qué es esto?
Formato de memoria:
El flash
Introducción
Flash - NAND (SLC) IC de memoria 4Gbit paralelo 63-BGA (9x11)
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No hay que hacer nada.
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El número de unidades de producción es el siguiente:
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA
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Las existencias:
Cuota de producción: