TC58BYG0S3HBAI6
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fabricante:
Kioxia America, Inc.
Descripción:
El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de contr
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
Benand™
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
25ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de velocidad basado en el sistema de control de velocidad.
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Kioxia America, Inc.
Tamaño de la memoria:
1Gbit
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.95V
Tiempo de acceso:
25 ns
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Organización de la memoria:
el 128M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de
Número del producto de base:
TC58BYG0
Formato de memoria:
El flash
Introducción
Flash - NAND (SLC) IC de memoria 1Gbit paralelo 25 ns 67-VFBGA (6.5x8)
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