Se aplicará el procedimiento siguiente:
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fabricante:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción:
IC DRAM 256 MBIT PAR 54TSOP II
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Tamaño de la memoria:
256Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
54-TSOP II
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
143 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
5,4 ns
Envase / estuche:
54-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
el 16M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM
Número del producto de base:
Se aplicará a los productos de la categoría II.
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Introducción
Memoria SDRAM IC 256Mbit paralelo 143 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
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Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.
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Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será igual al número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo.
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