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fabricante:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción:
El sistema de almacenamiento de datos de las unidades de almacenamiento de datos de las unidades de
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Tamaño de la memoria:
72Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las condiciones de las condiciones de producción y de las condiciones de producción son las siguient
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Frecuencia del reloj:
117 megaciclos
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.465V
Tiempo de acceso:
7,5 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
2M x 36
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
SRAM - IC de memoria SDR síncrona de 72 Mbit paralelo a 117 MHz 7,5 ns 100-LQFP (14x20)
Productos relacionados
Se aplicará el procedimiento siguiente:
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será igual al número de personas a las que se refiere el apartado 2 del presente artículo.
IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I
El número de personas que pueden participar en el programa será el número de personas que pueden participar en el programa.
IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
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Se aplicará el método siguiente:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
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IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
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Las existencias:
Cuota de producción: