El número de unidades de producción de los equipos de ensayo se calculará en función de las características de las unidades de ensayo.
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El tubo
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
45ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
48-POES
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Tamaño de la memoria:
1Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
45 ns
Envase / estuche:
48-BSSOP (0,295", anchura de 7.50m m)
Organización de la memoria:
128K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número del producto de base:
CY14B101
Formato de memoria:
NVSRAM
Introducción
NVSRAM (SRAM no volátil) IC de memoria de 1Mbit paralelo 45 ns 48-SSOP
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