Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo de los Estados miembros.
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fabricante:
Cypress Semiconductor Corp
Descripción:
El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almace
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
NoBL™
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
100-TQFP (14x20)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Cypress Semiconductor Corp
Frecuencia del reloj:
133 MHz
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
6,5 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
512K x 18
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1357
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
SRAM - IC de memoria SDR sincrónica 9Mbit paralelo a 133 MHz 6,5 ns 100-TQFP (14x20)
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