CY14B104LA-ZS45XI
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fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
El IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II se utilizará para la obtención de las instrucciones siguientes:
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
45ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-TSOP II
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
45 ns
Envase / estuche:
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
512K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número del producto de base:
CY14B104
Formato de memoria:
NVSRAM
Introducción
Las unidades de memoria de tipo NVRAM (non-volatile SRAM)
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: