AS4C16M16SA-6TCN
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fabricante:
Alliance Memory, Inc.
Descripción:
IC DRAM 256 MBIT PAR 54TSOP II
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Tamaño de la memoria:
256Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
12ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
54-TSOP II
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Alliance Memory, Inc.
Frecuencia del reloj:
166 MHz
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
5 ns
Envase / estuche:
54-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
el 16M x 16
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM
Número del producto de base:
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Introducción
La memoria IC 256Mbit de SDRAM es paralelo a 166 megaciclos 5 ns 54-TSOP II
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