Se aplicará el método de ensayo de la prueba.
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fabricante:
Productos electrónicos Winbond
Descripción:
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA y también
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Tamaño de la memoria:
256Mbit
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
Se aplicará el método HSUL_12
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15 días
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de unidad de control de velocidad es el siguiente:
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Productos electrónicos Winbond
Frecuencia del reloj:
533 megaciclos
Voltagem - Suministro:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Tiempo de acceso:
5,5 ns
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Organización de la memoria:
8M x 32
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TC)
Tecnología:
SDRAM - LPDDR2-S4B para dispositivos móviles
Número del producto de base:
W978H2
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Introducción
SDRAM - IC de memoria móvil LPDDR2-S4B 256Mbit HSUL_12 533 MHz 5.5 ns 134-VFBGA (10x11.5)
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