El número de unidades de producción de las que se trate será el siguiente:
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
45ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
54-TSOP II
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
16Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
45 ns
Envase / estuche:
54-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
1M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número del producto de base:
CY14B116
Formato de memoria:
NVSRAM
Introducción
La memoria IC de NVSRAM (SRAM no volátil) es de 16 Mbit paralelo a 45 ns 54-TSOP II
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: