Se aplicará el procedimiento siguiente:
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
Automotriz, AEC-Q100
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
35ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Everspin Technologies Inc.
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
35 ns
Envase / estuche:
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
256K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 125 °C (TA)
Tecnología:
Unidad de control de velocidad
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Formato de memoria:
Memoria RAM
Introducción
MRAM (RAM magnetorresistiva) IC de memoria 4Mbit paralelo 35 ns 44-TSOP2
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En el caso de las personas que se encuentran en una situación de riesgo, la autoridad competente deberá:
IC RAM 8MBIT SPI/OCTAL 8DFN
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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de conformidad con el anexo II.
IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
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Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos.
IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
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Se aplicará el método siguiente:
IC RAM 32MBIT SPI/OCTAL 24TBGA
Imagen | parte # | Descripción | |
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![]() |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
IC RAM 32MBIT SPI/OCTAL 8DFN
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![]() |
MR2A16AVMA35 |
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![]() |
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![]() |
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IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
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IC RAM 8MBIT SPI/OCTAL 8DFN
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Se aplicará el método siguiente: |
IC RAM 32MBIT SPI/OCTAL 24TBGA
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