CY7C1021D-10VXIT
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fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos es el siguiente:
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-SOJ
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
1Mbit
Voltagem - Suministro:
4.5V ~ 5.5V
Tiempo de acceso:
10 ns
Envase / estuche:
44-BSOJ (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
64K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
El número de unidades de producción será el siguiente:
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
SRAM - IC de memoria asíncrona de 1 Mbit paralelo 10 ns 44-SOJ
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: