El número de unidades de producción de los equipos de ensayo y de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo y de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo y de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
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fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
FRAM
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Tamaño de la memoria:
1Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Se trata de un sistema de almacenamiento de datos.
Interfaz de memoria:
El SPI
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
50 MHz
Voltagem - Suministro:
1.8V ~ 3.6V
Envase / estuche:
8 SOIC (0,209", 5,30 mm de ancho)
Organización de la memoria:
128K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 125 °C (TA)
Tecnología:
FRAM (RAM ferroeléctrico)
Tiempo de acceso:
8 años
Formato de memoria:
FRAM
Introducción
FRAM (RAM ferroeléctrica) IC de memoria 1Mbit SPI 50 MHz 8 ns 8-SOIC
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: