El número de unidad de ensayo será el número de unidad de ensayo.
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fabricante:
RENESAS
Descripción:
R1LV0108E - LPSRAM avanzada de 1 Mb
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Serie:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
Las demás
Paquete de dispositivos del proveedor:
32-TSOP I
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
RENESAS
Tamaño de la memoria:
1Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Envase / estuche:
32-TFSOP (0,465", ancho de 11,80 mm)
Organización de la memoria:
128K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Tiempo de acceso:
55 ns
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
SRAM - IC de memoria asincrónica de 1 Mbit paralelo 55 ns 32-TSOP I
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A. Los datos de las operaciones de los Estados miembros de la Unión Europea y de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el formulario de solicitud.
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E: el nombre de la empresa y el nombre de la empresa.
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
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R1LP5256ESA-5SI#B1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
UPD48288236AF1-E24-DW1-A. El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo.
IC DRAM 288MBIT HSTL 144TFBGA
M5M5V108DKV-70HIST, incluido el avión de combate
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
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