Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
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fabricante:
Etron Technology, Inc.
Descripción:
IC DRAM 256MBIT PARALÉL 54FBGA
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Tamaño de la memoria:
256Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
10ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Etron Technology, Inc.
Frecuencia del reloj:
200 MHz
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
4,5 ns
Envase / estuche:
54-TFBGA
Organización de la memoria:
el 16M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SDRAM
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Formato de memoria:
Dispositivos de almacenamiento
Introducción
Memoria SDRAM IC 256Mbit paralelo 200 MHz 4,5 ns 54-FBGA (8x8)
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