CY7C1361C-100BZXET y sus componentes
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fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
El número de unidades de recolección de datos de la unidad de recolección de datos será el siguiente
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
165-FBGA (13x15)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
100 MHz
Voltagem - Suministro:
3.135V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
8,5 ns
Envase / estuche:
165-LBGA
Organización de la memoria:
256K x 36
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 125 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
CY7C1361
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
SRAM - IC de memoria SDR sincrónica de 9 Mbit paralelo a 100 MHz 8,5 ns 165-FBGA (13x15)
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: