Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
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fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
F-RAM™
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
110ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las partidas de los componentes de las máquinas de la categoría M1 y M2
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
110 ns
Envase / estuche:
48-TFBGA
Organización de la memoria:
256K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FRAM (RAM ferroeléctrico)
Número del producto de base:
Se trata de una serie de medidas de control.
Formato de memoria:
FRAM
Introducción
FRAM (RAM ferroeléctrica) IC de memoria 4Mbit paralelo 110 ns 48-FBGA (6x8)
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: