Se aplicará el método de ensayo de la norma de la Unión para determinar la calidad de los productos.
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fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almace
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
MoBL®
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
45ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
2.2V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
45 ns
Envase / estuche:
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Organización de la memoria:
512K x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
CY62148
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
SRAM - IC de memoria asíncrona de 4Mbit paralelo 45 ns 36-VFBGA (6x8)
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: