Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán estar disponibles en el sitio web de los equipos de ensayo.
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fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
El sistema de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almace
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Tamaño de la memoria:
9Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
165-FBGA (13x15)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
200 MHz
Voltagem - Suministro:
2.4V ~ 2.6V
Tiempo de acceso:
3.2 ns
Envase / estuche:
165-LBGA
Organización de la memoria:
256K x 36
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Síncrono, SDR
Número del producto de base:
El número de unidades de producción será el siguiente:
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
SRAM - IC de memoria SDR síncrona de 9 Mbit paralelo a 200 MHz 3.2 ns 165-FBGA (13x15)
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: