Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
![calidad [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
Productos electrónicos Winbond
Descripción:
El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Tamaño de la memoria:
128Mbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
SpiFlash®
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
SPI - Entrada-salida del patio, QPI, DTR
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
3 ms
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Productos electrónicos Winbond
Frecuencia del reloj:
133 MHz
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Envase / estuche:
24-TBGA
Organización de la memoria:
el 16M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
FLASH - Ni siquiera
Número del producto de base:
W25Q128
Formato de memoria:
El flash
Introducción
El sistema de almacenamiento de datos en el sistema de almacenamiento de datos (SIM) es un sistema de almacenamiento de datos en el sistema de almacenamiento de datos (SIM).
Productos relacionados
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Se aplicará el procedimiento siguiente:
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables.
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables. |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: