Se aplicará el método de clasificación de los productos.
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fabricante:
Renesas Electronics América Inc.
Descripción:
CI SRAM 4MBIT PARALELO 44TSOP II
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
12ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-TSOP II
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
4.5V ~ 5.5V
Tiempo de acceso:
12 ns
Envase / estuche:
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
256K x 16
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
La SRAM
Número del producto de base:
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
IC de memoria SRAM de 4 Mbit paralelo 12 ns 44-TSOP II
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: