Se aplicarán los siguientes requisitos:
![calidad [#varpname#] fábrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
MoSys, Inc.
Descripción:
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
La última vez que compré
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de velocidad.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
MoSys, Inc.
Tamaño de la memoria:
512Mbit
Voltagem - Suministro:
-
Tiempo de acceso:
3.2 ns
Envase / estuche:
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Organización de la memoria:
144M x 4
Temperatura de funcionamiento:
-
Tecnología:
Se trata de una serie de datos que contienen una serie de datos.
Número del producto de base:
Las condiciones de los productos
Formato de memoria:
Memoria RAM
Introducción
Memoria IC SRAM, RLDRAM 512Mbit paralelo 3.2 ns 288-FCBGA (19x19)
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Se aplicará el procedimiento siguiente:
QPR8-15 GB/S
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
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Se aplicarán las disposiciones siguientes:
IC RAM 512MBIT PARALLEL 288FCBGA
Se aplicará el procedimiento siguiente:
QPR8-25 GB/S
| Imagen | parte # | Descripción | |
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
QPR8-15 GB/S
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
IC SRAM 576MBIT PAR 324PBGA
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Se aplicarán las disposiciones siguientes: |
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
QPR8-25 GB/S
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