CYDM256B16-55BVXI: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B.
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fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
Las instalaciones de las que se trate deberán tener una capacidad de almacenamiento superior a 300 k
Categoría:
Memoria
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Envases
Serie:
MoBL®
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
Las demás
Paquete de dispositivos del proveedor:
100-VFBGA (6x6)
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tamaño de la memoria:
256 Kbit
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
Tiempo de acceso:
55 ns
Envase / estuche:
100-VFBGA
Organización de la memoria:
16K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tecnología:
SRAM - Puerto doble, MoBL
Número del producto de base:
CYDM
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
SRAM - Puerto doble, IC de memoria MoBL 256Kbit paralelo 55 ns 100-VFBGA (6x6)
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Las existencias:
Cuota de producción: